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KCY3503S场效应管漏源击穿电压30V,漏极电流70A;采用高级沟槽技术制造,极低导通电阻RDS(开启) 2.6mΩ,最大限度地减少导电损耗,提高效率;低栅极电荷、高电流容量、开关速度快,性能高效稳定;符合RoHS和无卤素标准,品质可靠环保;广泛应用于电脑电源管理、...
www.kiaic.com/article/detail/5955.html 2025-10-09
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电焊设备是利用电能,通过加热加压,即正负两极在瞬间短路时产生的高温电弧,来熔化电焊条上的焊料和被焊材料,借助金属原子的结合与扩散作用,使两件或两件以上的焊件牢固的连接在一起的设备。
www.kiaic.com/article/detail/5954.html 2025-10-09
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数字集成电路针对离散的数字信号(具有0和1两种状态),实现逻辑运算、数据存储、控制等数字系统功能;模拟集成电路针对连续变化的模拟信号(如随时间连续变化的电压、电流),完成信号放大、滤波、调制、解调等模拟信号处理功能。
www.kiaic.com/article/detail/5953.html 2025-10-09
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KCB3010A场效应管漏源击穿电压100V,漏极电流120A,采用先进SGT技术制造,先进的双沟道技术降低导通损耗、提高开关性能,极低导通电阻RDS(开启) 4.0mΩ,高效低耗;具有快速切换、低栅极电荷、低反向传输电容、雪崩强度高,在各种应用中稳定可靠,适用于电机驱...
www.kiaic.com/article/detail/5952.html 2025-09-30
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半桥驱动电路是指使用两个开关器件(通常是MOSFET或IGBT)来控制电机的正向和反向运动。其中一个开关器件被连接到电源正极,另一个器件被连接到电源负极,通过控制两个开关的状态来控制电流的流向,从而控制电机的运动方向。
www.kiaic.com/article/detail/5951.html 2025-09-30
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to220是大功率晶体管、中小规模集成电路常采用的直插式封装形式,结构分为自带散热器的绝缘与非绝缘两种类型,可通过搭配专用散热器进一步提升散热效率 。该封装设计便于安装,适用于高电流、高电压的工业控制和电力系统领域。
www.kiaic.com/article/detail/5950.html 2025-09-30
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KCM2920A场效应管漏源击穿电压200V,漏极电流130A,采用?SGT MOSFET工艺制造,新型沟槽技术,低导通电阻RDS(开启) 9.0mΩ,低栅极电荷,最小化开关损耗、提高效率;快速恢复体二极管,开关特性好、反向恢复时间短,稳定可靠,广泛应用于高频开关和同步整流、d...
www.kiaic.com/article/detail/5949.html 2025-09-29
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光伏逆变器的作用是将太阳能电池板产生的直流电(DC)转换为交流电(AC),并满足电网或用电设备的电能需求。光伏逆变器的核心功能是“电能形式转换”+“电网 / 负载适配”,工作流程为以下阶段(并网逆变器为例):
www.kiaic.com/article/detail/5948.html 2025-09-29
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74ls48是一种BCD-7段译码器,用于将4位二进制代码转换为七段数字信号输出。7段是一种基于7个LED的小型设备,用于表示从0到9的单个数值。每个7段有七个输入引脚,用于点亮七个段中的单个LED。每次制作单个数字时,某些特定引脚应该有电源输入。
www.kiaic.com/article/detail/5947.html 2025-09-29
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超结MOS管KCF6265A采用KIA半导体先进的超级结技术制造,低导通电阻RDS(on) 0.33Ω,可以最大限度地减少导通损耗,提供卓越的开关性能,并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲;具有低栅极电荷、高坚固性、快速切换,高效低耗;100%雪崩测试、改进的dv/dt能力,稳定...
www.kiaic.com/article/detail/5946.html 2025-09-28
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肖特基势垒二极管利用金属-半导体(M-S)接触特性制成,有点接触型和面结合型两种管芯结构。传统SBD是通过金属与半导体接触而构成。金属材料可选用铝、金、钼、镍和钛等,半导体通常为硅(Si)或砷化镓(GaAs)。
www.kiaic.com/article/detail/5945.html 2025-09-28
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正弦波逆变器将直流电转换为与电网相似的标准正弦波交流电,广泛应用于太阳能、电动车充电和移动电源等领域。直流输入:逆变器接收来自直流电源(如蓄电池、太阳能电池)的电能。高频开关电路:通过功率半导体器件(如IGBT、MOSFET)组成的开关电路,将直流电转...
www.kiaic.com/article/detail/5944.html 2025-09-28
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超结MOS管KCB6265A采用KIA半导体先进的超级结技术制造,低导通电阻RDS(on) 0.33Ω,可以最大限度地减少导通损耗,提供卓越的开关性能,并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲;具有低栅极电荷、高坚固性、快速切换,高效低耗;100%雪崩测试、改进的dv/dt能力,稳定...
www.kiaic.com/article/detail/5943.html 2025-09-26
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碳化硅mos管(金属氧化物半导体场效应晶体管)是第三代半导体材料电力电子器件,三个脚分别为栅极(G),漏极(D)和源极(S)。碳化硅MOS为电压型控制器件,具有耐高温,开关速度快,工作频率高等特点。
www.kiaic.com/article/detail/5942.html 2025-09-26